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摘要：一种半导体异质结IV输出扭曲效应的模型及参数提取方法，该方法基于一个电路模型用来描述窗口层导带势垒对异质结IV特性的影响，所述的电路模型包含三个二极管，即描述PN结中P区和N区耗尽区所对应的两个光二极管以及描述异质结界面窗口层导带势垒导致的旁路二极管。本发明能够利用特征指标对电池出现扭曲效应的原因进行快速归类，然后利用特征指标和材料参数的对应关系定位出现扭曲效应的原因，指导生产或研发工艺的改进。
主权项：1.一种半导体异质结IV输出扭曲效应的模型及参数提取方法，其特征在于，该方法基于一个电路模型用来描述窗口层导带势垒对异质结IV特性的影响，所述的电路模型包含三个二极管，即描述PN结中P区和N区耗尽区所对应的两个光二极管以及描述异质结界面窗口层导带势垒导致的旁路二极管，n型区和p型区所对应的两个光二极管呈同方向串联关系，旁路二极管和n型区对应的光二极管呈并联关系；旁路二极管中，当异质结n型材料的导带高于p型材料的导带时，旁路二极管和光二极管是反向的，当异质结n型材料的导带低于p型材料的导带时，旁路二极管和光二极管是同向的；所述光二极管和旁路二极管的参数用异质结器件的亮IV曲线拟合得到，通过计算旁路二极管的饱和电流J0和理想因子n定量比较不同异质结窗口层势垒和界面复合程度。
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百度查询： 浙江工业大学 半导体异质结IV输出扭曲效应的模型及参数提取方法
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