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摘要：本发明公开了一种太赫兹二维独立控制反射阵天线，包括在同一平面内周期排布的多个天线单元，所述天线单元正交排列在垂直于太赫兹波入射平面上，所述天线单元沿入射方向从上至下依次为上表面的金属耦合缺口圆环、衬底介质基片以及下表面的耦合开关控制层；所述耦合开关控制层包括半正八边形环状沟道，以及第一圆环沟道和第二圆环沟道，所述半正八边形环状沟道的内部设置有内半正八边形金属贴片。通过改变晶体管的通断来实现对太赫兹反射电磁波的相位调控，其通断状态通过外加电压大小予以控制，当改变结构中与晶体管电极相连的正电极线和负电极线所加载电压差时，晶体管将会出现截断或导通状态。

主权项：1.一种太赫兹二维独立控制反射阵天线，包括在同一平面内周期排布的多个天线单元1，其特征在于，所述天线单元1正交排列在垂直于太赫兹波入射平面上，所述天线单元1沿入射方向从上至下依次为上表面的金属耦合缺口圆环2、衬底介质基片3以及下表面的耦合开关控制层4；所述耦合开关控制层4包括半正八边形环状沟道401，以及第一圆环沟道402和第二圆环沟道403，所述半正八边形环状沟道401的内部设置有内半正八边形金属贴片7，所述半正八边形环状沟道401的外部设置有外侧金属结构8，所述半正八边形环状沟道401的左顶点设置有第一直角沟道405，所述半正八边形环状沟道401的左顶点通过第一直角沟道405与第一圆环沟道402连通设置，所述半正八边形环状沟道401的右顶点设置有第二直角沟道406，所述半正八边形环状沟道401的右顶点通过第二直角沟道406与第二圆环沟道403连通设置，位于一个所述天线单元1中在半正八边形环状沟道401的左上斜边中点设置有第一电压控制开关管5，位于一个所述天线单元1中在半正八边形环状沟道401的右上斜边中点处设置有第二电压控制开关管6，所述第一电压控制开关管5以及第二电压控制开关管6的源极和漏极分别与内半正八边形金属贴片7以及外侧金属结构8电性连接，所述第一圆环沟道402的内部设置有第一圆形金属贴片10，所述第二圆环沟道403的内部设置有第二圆形金属贴片11，所述第一电压控制开关管5以及第二电压控制开关管6的栅极分别设置有铺设在第一直角沟道405和第二直角沟道406内部的栅极引出线9，所述第一电压控制开关管5通过栅极引出线9与第一圆形金属贴片10电性连接，所述第二电压控制开关管6通过栅极引出线9与第二圆形金属贴片11电性连接。

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