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摘要：本公开涉及受环境保护的PIC1，包括具有第一表面3的基于InP的衬底2以及介电保护层5，该第一表面3至少部分地设置有基于InP的光波导4，介电保护层5被布置为至少覆盖基于InP的衬底的第一表面和基于InP的光波导。介电保护层被配置为保护所述PIC免受环境污染物的影响，从而能够在与光辐射的传播方向垂直的至少一个方向上将光辐射限制在介电保护层中，并且允许在基于InP的光波导和介电保护层之间交换光辐射。本公开还涉及包括所述PIC的光电系统18。

主权项：1.一种受环境保护的光子集成电路，包括：基于磷化铟InP的衬底（2），所述基于InP的衬底（2）具有第一表面（3），所述第一表面（3）至少部分地设置有基于InP的光波导（4）；和介电保护层（5），布置为至少覆盖所述基于InP的衬底（2）的所述第一表面（3）和所述基于InP的光波导（4），所述介电保护层（5）被配置为：保护所述光子集成电路（1）免受环境污染物的影响；能够在与光辐射的传播方向垂直的至少一个方向上将所述光辐射限制在所述介电保护层（5）中；和允许在所述基于InP的光波导（4）和所述介电保护层（5）之间交换所述光辐射；其中所述基于InP的光波导（4）和所述介电保护层（5）为所述光子集成电路（1）提供多级光波导组件（6）；其中所述基于InP的光波导（4）在垂直于所述基于InP的衬底（2）的所述第一表面（3）的方向上具有尺寸，所述尺寸在所述基于InP的光波导（4）的第一部分（4a）中具有第一值，在所述基于InP的光波导（4）的第二部分（4b）中具有第二值，所述第二值小于所述第一值，所述基于InP的光波导（4）包括锥形部分（7），所述锥形部分（7）被配置和布置成将所述基于InP的光波导（4）的所述第一部分（4a）和所述基于InP的光波导（4）的所述第二部分（4b）互连，从而允许所述光辐射的光模场在从所述第一部分（4a）到所述第二部分（4b）通过所述锥形部分（7）时，被分成存在于所述基于InP的光波导（4）中的第一部分和存在于所述介电保护层（5）中的第二部分；其中，所述基于InP的光波导（4）是非平面光波导，并且其中所述介电保护层（5）是保形涂层，所述保形涂层为所述多级光波导组件（6）提供非平面介电光波导（8），所述非平面介电光波导（8）被配置为允许将所述光辐射的所述光模场的第二部分在两个正交方向上限制在所述介电保护层（5）中，所述两个正交方向都垂直于所述光辐射的传播方向。

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