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摘要：本发明公开了一种基于多层掺杂Al1‑xScxN的铁电薄膜存储器及其制备方法，包括自下而上依次布置的硅衬底层、TiN下电极层、Sc掺杂浓度为12.5％的Al0.875Sc0.125N下缓冲层、Sc掺杂浓度为25％的Al0.75Sc0.25N铁电材料层、Sc掺杂浓度为12.5％的Al0.875Sc0.125N上缓冲层、TiN上电极层；所述TiN下电极层与TiN上电极层厚度均为30纳米，Al0.875Sc0.125N缓冲层厚度均为10纳米，Al0.75Sc0.25N铁电材料层厚度为80纳米。本发明不仅有利于材料的高质量生长，同时提高了器件的耐压性，其工作时的稳定性与可靠性得以保障。可以进一步简化现有铁电存储器制作工艺，操作安全简单，生产成本得以降低。
主权项：1.一种基于多层掺杂Al1-xScxN的铁电薄膜存储器，其特征在于，包括自下而上依次布置的硅衬底层1、TiN下电极层2、Sc掺杂浓度为12.5％的Al0.875Sc0.125N下缓冲层3、Sc掺杂浓度为25％的Al0.75Sc0.25N铁电材料层4、Sc掺杂浓度为12.5％的Al0.875Sc0.125N上缓冲层5、TiN上电极层6。
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百度查询： 西安电子科技大学 一种基于多层掺杂Al1-xScxN的铁电薄膜存储器及其制备方法
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