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摘要：本发明公开一类苯并二噻吩衍生物及其制备和应用，属于有机存储和信息技术领域。该类衍生物是在苯并二噻吩结构上键连接三异丙基乙炔基硅后制得，所得化合物具有大的共轭平面以及电荷云密度，且具有良好的π–π堆积性能，与三异丙基乙炔基硅结合可进一步抑制电荷泄漏，阻挡载流子的流失，从而可提高电荷的存储稳定性和耐受性，因而适于制备有机场效应晶体管存储器。本申请将该类苯并二噻吩衍生物作为OFET存储器的电荷俘获层，由于苯并二噻吩具有电荷俘获位点，所以当给器件施加电压，在电场的作用下，电子或者空穴从半导体层隧穿进入到存储层，就会更加容易被俘获，有助于提升器件的存储性能。
主权项：1.一种有机场效应晶体管存储器，从上至下依次包括源漏电极、有机半导体层、电荷俘获层、栅绝缘层、衬底及形成于该衬底之上的栅电极，其特征在于，所述电荷俘获层是基于一类苯并二噻吩衍生物制备得到的，所述苯并二噻吩衍生物的结构通式如下： 其中，X为N、O、S、Se、Ge中的一种，Y、Z选自以下结构：H-*、
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百度查询： 南京邮电大学 一类苯并二噻吩衍生物及其制备和应用
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