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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日：2023-06-14
公开（公告）日：2024-12-17
公开（公告）号：CN119153447A
专利技术分类：..阻抗装置[2006.01]
专利摘要：本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：衬底；位于所述衬底上的下电极层；位于所述下电极层上的隔离层；位于所述隔离层上的上电极层；其中，所述上电极层包括多个有效电极，和与所述有效电极电连接的连接电极，所述有效电极阵列排布，所述连接电极包括单元连接电极和主连接电极，所述单元连接电极电连接所述有效电极，所述主连接电极电连接所述单元连接电极，且所述单元连接电极的宽度大于所述有效电极的宽度，所述主连接电极的宽度大于所述单元连接电极的宽度。本发明实施例能够提升电容密度，实现节约器件面积。
专利权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的下电极层；位于所述下电极层上的隔离层；位于所述隔离层上的上电极层；其中，所述上电极层包括多个有效电极，和与所述有效电极电连接的连接电极，所述有效电极阵列排布，所述连接电极包括单元连接电极和主连接电极，所述单元连接电极电连接所述有效电极，所述主连接电极电连接所述单元连接电极，且所述单元连接电极的宽度大于所述有效电极的宽度，所述主连接电极的宽度大于所述单元连接电极的宽度。
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法
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