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申请/专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日：2023-06-15
公开（公告）日：2024-12-17
公开（公告）号：CN119145043A
专利技术分类：.外延层生长[2006.01]
专利摘要：本申请公开了一种结晶质量高的碳化硅衬底，属于碳化硅生产加工技术领域。该碳化硅衬底包括第一主表面和第二主表面；所述第一主表面具有中心区域和围绕所述中心区域的环形区域，所述环形区域自衬底边缘向内延伸的宽度为5～30mm；将所述中心区域划分为各自具有5mm边长的正方形区域，各个所述正方形区域的体内应力小于所述环形区域的体内应力，所述体内应力为自所述第一主表面或第二主表面向碳化硅衬底内垂直延伸至少30μm处检测的应力值。该碳化硅衬底中心区域的体内应力较低，且衬底上的应力能够实现均匀分布，证明该碳化硅衬底的质量较高，能够提高后续的结晶品质，从而扩大了碳化硅衬底的使用范围。
专利权项：1.一种结晶质量高的碳化硅衬底，其特征在于，所述碳化硅衬底的直径为150mm以上，所述碳化硅衬底包括第一主表面和第二主表面；所述第一主表面具有中心区域和围绕所述中心区域的环形区域，所述环形区域自衬底边缘向内延伸的宽度为5～30mm；将所述中心区域划分为各自具有5mm边长的正方形区域，各个所述正方形区域的体内应力小于所述环形区域的体内应力，所述体内应力为自所述第一主表面或第二主表面向碳化硅衬底内垂直延伸至少30μm处检测的应力值。
百度查询： 山东天岳先进科技股份有限公司 一种结晶质量高的碳化硅衬底
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