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摘要：本申请提供了一种MOSFET器件和MOSFET器件的制作方法，MOSFET器件包括：衬底，衬底的材料包括碳化硅；外延层，位于衬底的表面上；沟槽栅极结构，位于外延层内；源区在第一方向上位于沟槽栅极结构的一侧，第一方向与衬底的厚度方向垂直，源区的掺杂类型和外延层的掺杂类型相同；漏区，在第一方向上位于沟槽栅极结构的另一侧，漏区的掺杂类型和外延层的掺杂类型相同；掺杂区在第一方向上至少部分位于源区远离沟槽栅极结构的一侧，掺杂区的掺杂类型和外延层的掺杂类型不同；金属层，位于外延层远离衬底的表面上，金属层包括源极金属部和漏极金属部。MOSFET器件可以适用于CSP封装的要求。
主权项：1.一种MOSFET器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底的材料包括碳化硅；外延层，位于所述衬底的表面上；沟槽栅极结构，位于所述外延层内；源区，位于所述外延层内，并且在第一方向上位于所述沟槽栅极结构的一侧，所述第一方向与所述衬底的厚度方向垂直，所述源区的掺杂类型和所述外延层的掺杂类型相同；漏区，位于所述外延层内，并且在所述第一方向上位于所述沟槽栅极结构的另一侧，所述漏区的掺杂类型和所述外延层的掺杂类型相同；掺杂区，位于所述外延层内，并且在所述第一方向上至少部分位于所述源区远离所述沟槽栅极结构的一侧，所述掺杂区的掺杂类型和所述外延层的掺杂类型不同；金属层，位于所述外延层远离所述衬底的表面上，所述金属层包括源极金属部和漏极金属部，所述源极金属部和所述漏极金属部之间具有间隔，所述金属层在所述衬底上的正投影与所述沟槽栅极结构在所述衬底上的正投影之间具有间隔，所述源极金属部在所述衬底上的正投影与所述源区在所述衬底上的正投影至少部分交叠，所述漏极金属部在所述衬底上的正投影与所述漏区在所述衬底上的正投影至少部分交叠。
权利要求：
百度查询： 珠海格力电子元器件有限公司 珠海格力电器股份有限公司 MOSFET器件和MOSFET器件的制作方法
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