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摘要：本发明公开了双色LED及其制备方法，该方法包括：在衬底表面依次层叠形成N型层和掩膜层；去除部分掩膜层，以使掩膜层形成露出N型层的多个间隔的第一空白区，在每个第一空白区内形成纳米柱；在每个纳米柱顶面形成第一发光结构，并形成覆盖第一发光结构侧面的保护层；在每个纳米柱的至少部分侧面形成第二发光结构；在掩膜层表面形成覆盖第二发光结构表面的导电层；形成N电极、与每个第一发光结构对应的第一P电极以及与每个第二发光结构对应的第二P电极；其中，第一P电极设置于每个第一发光结构上，所述第二P电极设置于导电层上，N电极设置于N型层上。本发明实现纳米柱双色LED的集成；减少了发光结构之间的光学串扰；实现互联电极控制纳米柱。
主权项：1.一种双色LED的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底1，在所述衬底1表面依次层叠形成N型层2和掩膜层3；去除部分掩膜层3，以使所述掩膜层3形成露出所述N型层2的多个间隔的第一空白区，在每个所述第一空白区内形成纳米柱4；在每个所述纳米柱4顶面形成第一发光结构5，并形成覆盖所述第一发光结构5侧面的保护层6；在每个所述纳米柱4的至少部分侧面形成第二发光结构7；在所述掩膜层3表面形成覆盖所述第二发光结构7表面的导电层8；形成N电极12、与每个所述第一发光结构5对应的第一P电极10以及与每个所述第二发光结构7对应的第二P电极11；其中，所述第一P电极10设置于每个所述第一发光结构5上，所述第二P电极11设置于所述导电层8上，所述N电极12设置于所述N型层2上。
权利要求：
百度查询： 江苏第三代半导体研究院有限公司 双色LED及其制备方法
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