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摘要：本发明提供了一种扩大金属钨的沉积窗口的方法，属于半导体领域。该扩大金属钨的沉积窗口的方法包括提供一半导体结构，所述半导体结构的表面形成有通孔和第一隔离层，所述通孔的底部形成有金属氧化物层，所述第一隔离层包括硅的氧化物层和阻挡层。使用氢等离子体对所述半导体结构进行刻蚀。刻蚀之后，对半导体结构实施SiCoNi预清洗。在所述通孔的内壁和所述第一隔离层的表面沉积第二隔离层之后，在所述通孔填充金属钨。本发明通过使用氢等离子体对所述半导体结构进行刻蚀处理，并实施SiCoNi预清洗，这样的工艺方式不会造成金属层体积的损失，使得金属层与金属钨接触面更加光滑，同时不会造成通孔侧壁的过挂，增大了后续金属钨沉积的工艺窗口。
主权项：1.一种扩大金属钨的沉积窗口的方法，其特征在于，包括：提供一半导体结构，所述半导体结构的表面形成有通孔和第一隔离层，所述通孔的底部形成有金属氧化物层，所述第一隔离层包括硅的氧化物层和阻挡层；使用氢等离子体对所述半导体结构进行刻蚀；刻蚀之后，对半导体结构实施SiCoNi预清洗；在所述通孔的内壁和所述第一隔离层的表面沉积第二隔离层之后，在所述通孔填充金属钨。
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 扩大金属钨的沉积窗口的方法
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