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摘要：公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：对布局的设计图案执行光学邻近校正OPC；以及使用基于校正后的布局制造的光掩模在衬底上形成光刻胶图案。执行OPC包括：分析单元层级以选择布局中的代表性单元；将代表性单元中的设计图案划分为包括第一片段的多个片段；从多个片段中选择代表第一片段的第一独特片段；生成第一独特片段的第一校正偏置；将第一校正偏置应用于所有的第一片段以生成校正图案；以及将代表性单元的校正结果应用于包括在布局中并且与代表性单元具有相同类型的其他单元。
主权项：1.一种制造半导体器件的方法，包括：对布局的设计图案执行光学邻近校正OPC；以及使用基于校正后的布局制造的光掩模在衬底上形成光刻胶图案，其中，执行所述OPC包括：分析单元层级以选择所述布局中的代表性单元；将所述代表性单元中的所述设计图案划分为包括第一片段的多个片段；从所述多个片段中选择代表所述第一片段的第一独特片段；生成所述第一独特片段的第一校正偏置；将所述第一校正偏置应用于所有的所述第一片段以生成校正图案；以及将所述代表性单元的校正结果应用于包括在所述布局中并且与所述代表性单元具有相同类型的其他单元。
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 光学邻近校正方法以及使用该方法制造半导体器件的方法
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