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申请/专利权人：复旦大学
申请日：2023-06-21
公开（公告）日：2024-12-24
公开（公告）号：CN119181641A
专利技术分类：......带有绝缘栅的[2006.01]
专利摘要：本发明提供一种环栅器件及其外延方法，方法包括：S1，提供一衬底，在垂直于衬底的方向上形成交替堆叠的N层沟道层和N层鳍片层；S2，基于衬底和鳍片层进行第一次外延生长，以形成底部种子层和岛状种子层；底部种子层生成于衬底的表面，岛状种子层形成于N层鳍片层的表面；S3，刻蚀底部种子层和岛状种子层，以消除未与底部种子层合并的岛状种子层；S4，基于底部种子层和鳍片层进行第M次外延生长，以使底部种子层增厚，以合并暴露于底侧的岛状种子层，M和N均为任意大于1的整数；S5，交替重复S3‑S4，直至底部种子层与位于顶侧的岛状种子层合并，以形成源极外延层和漏极外延层。该方法用于形成无错位或空隙的源漏外延，提升环栅器件的质量。
专利权项：1.一种环栅器件的源漏外延方法，其特征在于，包括：S1，提供一衬底，在垂直于所述衬底的方向上形成交替堆叠的N层沟道层和N层鳍片层，N为任意大于1的整数；S2，基于所述衬底和所述鳍片层进行第一次外延生长，以形成底部种子层和岛状种子层；所述底部种子层生成于所述衬底的表面，所述岛状种子层形成于所述N层鳍片层的表面；S3，刻蚀所述底部种子层和所述岛状种子层，以消除未与所述底部种子层合并的岛状种子层；S4，基于所述底部种子层和所述鳍片层进行第M次外延生长，以使所述底部种子层增厚，以合并暴露于底侧的岛状种子层，M为任意大于1的整数；S5，交替重复S3-S4，直至所述底部种子层与位于顶侧的岛状种子层合并，以形成源极外延层和漏极外延层。
百度查询： 复旦大学 环栅器件及其外延方法
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