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存储器、电子设备以及存储器的制备方法专利

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申请/专利权人:华为技术有限公司

申请日:2023-06-21

公开(公告)日:2024-12-24

公开(公告)号:CN119183296A

专利技术分类:.以三维布置为特征的,例如,单元胞在不同的高度层[2023.01]

专利摘要:本申请实施例提供了一种存储器、电子设备以及存储器的制备方法,涉及存储技术领域。该存储器包括衬底、导电层、第一介质层、第二介质层、第一电极线和第二电极线。导电层设于衬底一侧,且呈环形设置;导电层的中心线与衬底相交叉。第一介质层和第二介质层中的一者设置在导电层的内侧,另一者围绕在导电层的外侧;第一介质层具有铁电性,第二介质层具有开关特性。第一电极线设于第一介质层的远离导电层的一侧,第二电极线设于第二介质层的远离导电层的一侧。该存储器的结构设计可以提高存储密度,同时还能够降低器件之间读写过程中的串扰。

专利权项:1.一种存储器,其特征在于,包括:衬底;导电层,设于所述衬底一侧,且呈环形设置;所述导电层的中心线与所述衬底相交叉;第一介质层和第二介质层,所述第一介质层和所述第二介质层中的一者设置在所述导电层的内侧,另一者围绕在所述导电层的外侧;所述第一介质层具有铁电性,所述第二介质层具有开关特性;第一电极线和第二电极线,所述第一电极线设于所述第一介质层的远离所述导电层的一侧,所述第二电极线设于所述第二介质层的远离所述导电层的一侧。

百度查询: 华为技术有限公司 存储器、电子设备以及存储器的制备方法

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