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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日：2024-06-27
公开（公告）日：2024-12-27
公开（公告）号：CN119210423A
专利技术分类：...以使用多于一种半导体器件为特点的电路，例如BIMOS，诸如IGBT这样的组合器件[2006.01]
专利摘要：公开了IGBT、操作RCIGBT的方法、包括IGBT的电路。一种IGBT，在单个芯片中包括有源区，有源区被配置为传导在第一负载端子和第二负载端子之间的正向负载电流，第一负载端子在IGBT的半导体主体的前侧处，第二负载端子在半导体主体的背侧处。有源区至少被分离成：第一IGBT区，第一IGBT区的至少90％被配置为基于第一控制信号传导正向负载电流；第二IGBT区，第二IGBT区的至少90％被配置为基于第二控制信号传导正向负载电流。第一MOS沟道导电性对面积比由第一IGBT区中的总沟道宽度除以第一IGBT区的总横向面积来确定。第二MOS沟道导电性对面积比由第二IGBT区中的总沟道宽度除以第二IGBT区的总横向面积来确定。第二MOS沟道导电性对面积比总计小于第一MOS沟道导电性对面积比的80％。
专利权项：1.一种IGBT1，在单个芯片中包括有源区1-2，有源区1-2被配置为传导在第一负载端子11和第二负载端子12之间的正向负载电流，第一负载端子11在所述IGBT1的半导体主体10的前侧110处，第二负载端子12在半导体主体10的背侧120处，其中有源区1-2至少被分离成：-第一IGBT区1-21，第一IGBT区1-21的至少90％被配置为基于第一控制信号13-21传导正向负载电流；-第二IGBT区1-22，第二IGBT区1-22的至少90％被配置为基于第二控制信号13-22传导正向负载电流；其中：-第一MOS沟道导电性对面积比由第一IGBT区1-21中的总沟道宽度除以第一IGBT区1-21的总横向面积来确定；以及-第二MOS沟道导电性对面积比由第二IGBT区1-22中的总沟道宽度除以第二IGBT区1-21的总横向面积来确定；以及-第二MOS沟道导电性对面积比总计小于第一MOS沟道导电性对面积比的80％。
百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 IGBT、操作RC IGBT的方法、包括IGBT的电路
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