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申请/专利权人：泉州市三安集成电路有限公司
申请日：2023-06-29
公开（公告）日：2024-12-31
公开（公告）号：CN119232109A
专利技术分类：..应用声表面波[2006.01]
专利摘要：本发明涉及滤波器技术领域，特别涉及一种滤波器芯片及其制备方法，该滤波器芯片包括压电基板、IDT电极和调频介电层。IDT电极间隔地设置在压电基板上，调频介电层覆盖压电基板和IDT电极。其中，调频介电层在IDT电极和压电基板上的最终厚度是由公式1确定，公式1如下：H1＝[F1‑F2+△FS+△FIDT]A；H1为调频介电层的最终厚度，F1为调频介电层的目标频率，F2为压电基板在沉积IDT电极后的电性频率量测值，△FS为压电基板影响的电性频率，△FIDT为IDT电极制程的频率补偿值，A为敏感系数。借此，可以有效提升滤波器芯片的电性稳定性，确保产品良率。
专利权项：1.一种滤波器芯片，其特征在于：所述滤波器芯片包括：压电基板；IDT电极，间隔地设置在所述压电基板上；调频介电层，覆盖所述压电基板和所述IDT电极；其中，所述调频介电层在所述IDT电极和所述压电基板上的最终厚度是由公式1确定，所述公式1如下：H1＝[F1-F2+△FS+△FIDT]A1H1为所述调频介电层的最终厚度，F1为所述调频介电层的目标频率，F2为所述压电基板在沉积所述IDT电极后的电性频率量测值，△FS为所述压电基板影响的电性频率，△FIDT为所述IDT电极制程的频率补偿值，A为敏感系数。
百度查询： 泉州市三安集成电路有限公司 滤波器芯片、滤波器芯片制备方法及滤波器装置
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