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申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司;北京京东方技术开发有限公司
申请日：2023-04-28
公开（公告）日：2024-12-31
公开（公告）号：CN119234315A
专利技术分类：.....由绝缘栅产生场效应的[2006.01]
专利摘要：本公开提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板的制备方法，属于显示技术领域。其中，薄膜晶体管包括衬底基板，以及设置在衬底基板上的有源层，有源层包括沿背离衬底基板方向依次叠层设置的第一膜层和第二膜层；有源层的材料为包含铟元素和镓元素的金属氧化物，第一膜层中的铟元素含量为In1，第二膜层中的铟元素含量为In2，其中，0≤[|In1‑In2|maxIn1，In2]≤0.5；第一膜层和第二膜层为非晶态，第一膜层的材料的迁移率大于第二膜层的材料的迁移率。
专利权项：一种薄膜晶体管，其特征在于，包括衬底基板，以及设置在衬底基板上的有源层，所述有源层包括沿背离所述衬底基板方向依次叠层设置的第一膜层和第二膜层；所述有源层的材料为包含铟元素和镓元素的金属氧化物，所述第一膜层中的铟元素含量为In1，所述第二膜层中的铟元素含量为In2，其中，0≤[|In1-In2|maxIn1，In2]≤0.5；所述第一膜层和所述第二膜层为非晶态，所述第一膜层的材料的迁移率大于所述第二膜层的材料的迁移率。
百度查询： 京东方科技集团股份有限公司 合肥鑫晟光电科技有限公司 北京京东方技术开发有限公司 一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板的制备方法
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