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申请/专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日：2023-10-30
公开（公告）日：2024-12-31
公开（公告）号：CN119234475A
专利技术分类：.以三维布置为特征的，例如，单元胞在不同的高度层[2023.01]
专利摘要：一种三维存储器器件包括绝缘条和导电条的交替堆叠、位于交替堆叠的相邻对之间的背侧沟槽、竖直延伸穿过该交替堆叠的存储器开口以及位于该存储器开口内的存储器开口填充结构。在一些实施方案中，介电蚀刻停止结构可位于该背侧沟槽内或外，使得该介电蚀刻停止结构中的每个介电蚀刻停止结构包括位于该背侧沟槽中的相应背侧沟槽的一对纵向侧壁内的相应一对介电侧壁。在一些其他实施方案中，介电隔离结构可以横向接触该交替堆叠内的该绝缘条中的每个绝缘条。可以提供横向绝缘接触通孔结构以提供与该导电条中的相应导电条的电接触。
专利权项：1.一种三维存储器器件，所述三维存储器器件包括：绝缘条和导电条的交替堆叠，所述绝缘条和所述导电条沿竖直方向交替，其中所述交替堆叠中的每个交替堆叠沿第一水平方向横向延伸，并且所述交替堆叠沿第二水平方向由背侧沟槽彼此横向间隔开；存储器开口阵列，所述存储器开口阵列竖直延伸穿过所述交替堆叠；存储器开口填充结构，所述存储器开口填充结构位于所述存储器开口中，其中所述存储器开口填充结构中的每个存储器开口填充结构包括位于所述导电条的层级处的竖直半导体沟道和相应竖直存储器元件堆叠；绝缘板和介电材料板的竖直交替序列，所述竖直交替序列沿所述第一水平方向与所述交替堆叠横向间隔开，其中所述绝缘板中的每个绝缘板位于与所述交替堆叠内的所述绝缘条的相应子集相同的层级处、具有与其相同的厚度并且具有与其相同的材料组成；和介电隔离结构，所述介电隔离结构横向接触所述交替堆叠内的所述绝缘条中的每个绝缘条以及所述竖直交替序列内的每个绝缘板和每个介电材料板，并且沿所述第二水平方向横向延伸。
百度查询： 桑迪士克科技有限责任公司 具有横向块隔离结构的三维存储器器件及其形成方法
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