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申请/专利权人：湖北江城实验室
申请日：2024-12-04
公开（公告）日：2025-01-03
公开（公告）号：CN119252798A
专利技术分类：...利用互连在器件中的分离元件间传输电流[2006.01]
专利摘要：本公开实施例提供了一种半导体的制备方法及半导体结构，其中，所述方法包括：在衬底的第一表面上形成凹槽结构；依次形成第一阻挡层和第一钝化层，第一阻挡层覆盖凹槽结构的侧壁和底部，第一钝化层覆盖第一阻挡层位于凹槽结构的底部的部分；将第一阻挡层与凹槽底部接触的表面定义为预设表面。在凹槽结构中形成掩埋式电源轨；在衬底的第二表面上形成通孔结构，通孔结构暴露出第一阻挡层的预设表面；其中，第一表面与第二表面为衬底相对设置的两个表。形成第二钝化层，第二钝化层位于通孔结构的底部并覆盖至少部分预设表面；在通孔结构中填充第二导电材料以形成导电结构；执行热处理工艺，以在导电结构与掩埋式电源轨之间形成目标界面。
专利权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供衬底；在所述衬底的第一表面上形成凹槽结构；依次形成第一阻挡层和第一钝化层，所述第一阻挡层覆盖所述凹槽结构的侧壁和底部，所述第一钝化层覆盖所述第一阻挡层位于所述凹槽结构的底部的部分；其中，将所述第一阻挡层与所述凹槽底部接触的表面定义为预设表面；在所述凹槽结构中填充第一导电材料以形成掩埋式电源轨；在所述衬底的第二表面上形成通孔结构，所述通孔结构暴露出所述第一阻挡层的预设表面；其中，所述第一表面与所述第二表面为所述衬底相对设置的两个表面；形成第二钝化层，所述第二钝化层位于所述通孔结构的底部并覆盖至少部分所述预设表面；在所述通孔结构中填充第二导电材料以形成导电结构；执行热处理工艺，以在所述导电结构与所述掩埋式电源轨之间形成目标界面。
百度查询： 湖北江城实验室 半导体结构的制备方法及半导体结构
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