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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2024-09-18
公开（公告）日：2025-01-14
公开（公告）号：CN119310792A
专利技术分类：..反射掩膜；其制备[2012.01]
专利摘要：EUV光刻掩模包括：衬底；图案化吸收层，包括第一材料和第二材料。在一些实施例中，第一材料是第二行过渡金属，并且第二材料是第一行过渡金属或第二行过渡金属。所公开的EUV光刻掩模减小了不期望的掩模3D效应。本申请的实施例还涉及EUV掩模及其形成方法。
专利权项：1.一种极紫外EUV掩模，包括：衬底；反射多层堆叠件，位于所述衬底上；覆盖层，位于所述多层堆叠件上；以及图案化吸收层，在所述覆盖层上具有20-100纳米之间的厚度，其中，所述图案化吸收层包括第一材料和第二材料，其中，所述第一材料具有0.855-0.890之间的极紫外折射率n和0.035-0.075之间的极紫外消光系数k，并且其中，所述第二材料具有0.920-0.970之间的极紫外折射率n和0-0.035之间的极紫外消光系数k。
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 EUV掩模及其形成方法
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