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一种中子屏蔽复合材料多目标优化设计与制备方法专利

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申请/专利权人:湖南大学

申请日:2024-03-01

公开(公告)日:2025-01-14

公开(公告)号:CN118095084B

专利技术分类:..使用机器学习,例如人工智能,神经网络,支持向量机[SVM]或训练模型[2020.01]

专利摘要:本发明提供了一种中子屏蔽复合材料多目标优化设计与制备方法,包括:步骤1、建立目标函数、适应度函数及约束;步骤2、立辐射屏蔽计算程序的输入文件;步骤3、优化过程中通过调用辐射屏蔽计算程序;步骤4、利用得到的中子透射率等结果计算种群的目标函数值,判断是否满足约束条件,不满足则计算惩罚函数值;步骤5、通过种群的选择、变异、交叉操作产生子代种群;步骤6、完成设置的迭代次数,得到屏蔽材料的设计方案;步骤7、按照选定方案设计比例配置粉末并混合均匀;步骤8、并对制备出的中子屏蔽复合材料进行微观组织观测与力学性能测试。本方法可直接成形制备出具有复杂形状、大尺寸的中子屏蔽材料与零部件,减少后续的加工时间与成本。

专利权项:1.一种中子屏蔽复合材料多目标优化设计与制备方法,其特征在于:步骤1、建立中子屏蔽复合材料各组分含量多目标优化设计问题的目标函数、适应度函数及约束;步骤1中:将316L作为基体材料,采用B4C、Gd中子吸收截面高的材料在吸收中子时产生次级γ光子;通过权重因子加权将中子透射率、次级γ光子产生率、中子屏蔽增强材料体积占比乘以各自对应的权重因子后相加;约束条件包括B4C质量分数为40%的铝基碳化硼复合材料的中子透射率、次级γ光子产生率以及B4C、Gd含量的取值范围约束;步骤2、产生初始种群,将初始种群进行二进制编码,通过二进制编码方法将中子屏蔽复合材料中B4C、Gd及316L的含量范围与变化步长进行编码,建立辐射屏蔽计算程序的输入文件;步骤3、优化过程中通过调用辐射屏蔽计算程序,根据输入文件参数进行计算获得中子屏蔽复合材料的中子透射率、次级γ光子产生率、B4C与Gd的体积占比之和;步骤4、利用得到的中子透射率、次级γ光子产生率、B4C与Gd体积占比结果计算种群的目标函数值,判断是否满足约束条件,不满足则计算惩罚函数值;步骤5、通过种群的选择、变异、交叉操作产生子代种群,判断是否达到最大迭代数;若已达到,则输出最后的子代种群,若没有达到,则利用该子代种群循环步骤2~步骤5;步骤6、完成设置的迭代次数,得到屏蔽材料的设计方案,从中选择合适的方案进行材料后续材料制备;步骤7、根据选定的中子屏蔽复合材料设计方案,将按照选定方案设计比例配置的B4C粉末、Gd粉末及316L粉末混合均匀;步骤8、使用混合均匀的粉末,通过定向能量沉积增材制造技术制备出该中子屏蔽复合材料,并对制备出的中子屏蔽复合材料进行微观组织观测与力学性能测试。

百度查询: 湖南大学 一种中子屏蔽复合材料多目标优化设计与制备方法

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