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微机电系统器件、微机电系统加速度计及其形成方法专利

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申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司

申请日:2021-04-20

公开(公告)日:2025-01-14

公开(公告)号:CN114620672B

专利技术分类:.包括功能上有特定关系的不同的电或光学装置,例如微电子—机械系统(MEMS)(B81B7/04优先)[2006.01]

专利摘要:在半导体基质材料层中的凹陷表面上形成半导体氧化物板。在半导体基质材料层中形成多个梳结构。所述多个梳结构包括通过第一半导体部分而间隔开的一对内梳结构。使用各向同性刻蚀工艺相对于所述多个梳结构选择性地移除在侧向上环绕第一半导体部分的第二半导体部分。半导体氧化物板、所述一对内梳结构及覆盖所述多个梳结构的图案化刻蚀掩模层保护第一半导体部分免受各向同性刻蚀工艺的刻蚀剂影响。形成用于微机电系统器件的可移动结构,所述可移动结构包括半导体基质材料层的第一部分与所述一对内梳结构的组合。

专利权项:1.一种微机电系统器件,其特征在于包括:可移动结构,位于侧向限制空间中,其中所述可移动结构包括中心质量部分及第一可移动梳结构,所述第一可移动梳结构包括贴合到所述中心质量部分的第一侧壁的内梳轴部分及在侧向上从所述内梳轴部分突出的多个第一可移动梳指状件,其中:所述中心质量部分包括第一半导体材料的一部分;半导体氧化物板,包含所述第一半导体材料的氧化物,覆盖所述中心质量部分的整个底表面;以及所述第一可移动梳结构包括介电衬垫及导电填充材料部分,所述介电衬垫在实体上暴露于基质内的空腔,所述导电填充材料部分位于所述内梳轴部分内且连续地延伸到所述多个第一可移动梳指状件中的每一者中并在侧向上被所述介电衬垫包围。

百度查询: 台湾积体电路制造股份有限公司 微机电系统器件、微机电系统加速度计及其形成方法

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