Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

半导体装置及其形成方法专利

发布时间:2025-01-17 10:05:20 来源:龙图腾网 导航: 龙图腾网> 最新专利技术> 半导体装置及其形成方法

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司

申请日:2021-09-16

公开(公告)日:2025-01-14

公开(公告)号:CN115285926B

专利技术分类:.包括功能上有特定关系的不同的电或光学装置,例如微电子—机械系统(MEMS)(B81B7/04优先)[2006.01]

专利摘要:本公开的各种实施例涉及一种半导体装置及其形成方法。所述半导体装置包括衬底。空腔设置在衬底中。微机电系统MEMS层设置在衬底之上。MEMS层包括设置在空腔之上的可移动膜片。可移动膜片包括中心区及外围区。可移动膜片在可移动膜片的中心区中是平的。可移动膜片在可移动膜片的外围区中是波纹状的。

专利权项:1.一种半导体装置,包括:衬底;空腔,设置在所述衬底中;微机电系统层,设置在所述衬底之上,其中:所述微机电系统层包括设置在所述空腔之上的可移动膜片;所述可移动膜片包括中心区及外围区;所述可移动膜片在所述可移动膜片的所述中心区中是平的;所述可移动膜片在所述可移动膜片的所述外围区中是波纹状的;且所述可移动膜片的所述外围区包括底表面及上表面,所述底表面包括第一脊及第一槽,所述上表面包括在所述底表面的所述第一脊之上的第二槽及在所述底表面的所述第一槽之上的第二脊。

百度查询: 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置及其形成方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。