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申请/专利权人：智汇达投资有限公司
申请日：2023-09-22
公开（公告）日：2025-01-14
公开（公告）号：CN222354961U
专利技术分类：..特别适用于电极（用于制造电极的碳的碳化或活化入H01G11/34）[2013.01]
专利摘要：本实用新型提供一种高表面积导体材料的电容结构，其于一支撑前体例如导电性奈米纤维的外表面形成一阻隔层，产生一混合前体，再辊压该混合前体，使该阻隔层部分的外表面破裂，产生多个开孔，使该支撑前体部分的外表面于该些个开孔曝露，再加入一导体材料至该混合前体，并使该导体材料经由该些个开孔接触并电性连接该支撑前体，取得一高表面积导体材料的电容结构。
专利权项：1.一种高表面积导体材料的电容结构，其特征在于，其包含：一基材；一第一高表面积导体浆体层，其设置于该基材的一上方，该第一高表面积导体浆体层包含一第一支撑前体、一第一阻隔层以及多个第一颗粒，该第一阻隔层包覆该第一支撑前体，该第一阻隔层设置多个第一开口，该些个第一颗粒对应设置于该些个第一开口；以及一第二高表面积导体浆体层，其设置于该基材的一下方，该第二高表面积导体浆体层包含一第二支撑前体、一第二阻隔层以及多个第二颗粒，该第二阻隔层包覆该第二支撑前体，该第二阻隔层设置多个第二开口，该些个第二颗粒对应设置于该些个第二开口。
百度查询： 智汇达投资有限公司 高表面积导体材料的电容结构
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