龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日：2024-09-05
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119320936A
专利技术分类：..向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法[2006.01]
专利摘要：本申请提供一种反应腔预处理方法及半导体设备，涉及半导体技术领域，解决了相关技术中晶圆刻蚀过程中硅槽深度不均匀的问题，本方案通过对反应腔的预处理，提升介电窗温度的同时还可以清洁反应腔，使得反应腔的介电窗温度达到目标温度，从而为晶圆上的硅刻蚀提供合适的温度，使得刻蚀时晶圆的硅槽深度稳定在正常范围内，有助于保持刻蚀过程中硅槽深度的均匀性。
专利权项：1.一种反应腔预处理方法，其特征在于，应用于半导体设备中，所述反应腔预处理方法包括：在设备启动后，在反应腔处于空闲状态的情况下，将所述反应腔的气压调节至第一预设压强以及将等离子体刻蚀功率调节至第一预设功率以对所述反应腔进行加热，并向所述反应腔通入第一清洁气体，直至所述反应腔的介电窗温度达到目标温度；将所述反应腔的气压调节至第二预设压强并维持所述反应腔的等离子体刻蚀功率，并将所述反应腔的气压维持第一预设时长，且在所述第一预设时长内向所述反应腔通入第一清洁气体以及保护气体，所述第二预设压强大于所述第一预设压强；在所述第一预设时长结束后，将所述反应腔的气压调节至第三预设压强、等离子体刻蚀功率调节至第二预设功率，并将所述反应腔的气压和等离子体刻蚀功率维持第二预设时长，且在所述第二预设时长内向所述反应腔通入第二清洁气体，所述第三预设压强小于所述第一预设压强，所述第二预设功率小于所述第一预设功率。
百度查询： 粤芯半导体技术股份有限公司 反应腔预处理方法及半导体设备
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号