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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2024-04-07
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119325259A
专利技术分类：
专利摘要：本公开涉及半导体器件及其制造方法。提供了一种半导体器件结构。该半导体器件结构包括：源极漏极SD特征，设置在衬底之上并且位于两个相邻的半导体层之间；内部间隔件，设置在一个半导体层和衬底之间并且与该半导体层和衬底接触；以及电介质层结构，设置在SD特征和衬底之间。该电介质层结构包括：第一电介质层，与内部间隔件和衬底接触；和第二电介质层，嵌套在第一电介质层内，其中，第二电介质层的底表面和侧壁表面与第一电介质层接触。
专利权项：1.一种半导体器件结构，包括：源极漏极SD特征，设置在衬底之上并且位于两个相邻的半导体层之间；内部间隔件，设置在一个半导体层和所述衬底之间并且与该半导体层和所述衬底接触；以及电介质层结构，设置在所述SD特征和所述衬底之间，所述电介质层结构包括：第一电介质层，与所述内部间隔件和所述衬底接触；以及第二电介质层，嵌套在所述第一电介质层内，其中，所述第二电介质层的底表面和侧壁表面与所述第一电介质层接触。
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件及其制造方法
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