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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2024-03-21
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119325258A
专利技术分类：
专利摘要：本公开涉及半导体器件中的外延结构。公开了一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法。半导体器件包括：衬底、被设置在衬底上的第一纳米结构沟道区域和第二纳米结构沟道区域、围绕第一纳米结构沟道区域和第二纳米结构沟道区域的栅极结构、沿着栅极结构的侧壁设置并且在第一纳米结构沟道区域和第二纳米结构沟道区域之间的内部栅极间隔件、以及源极漏极SD区域。SD区域包括：沿着第一纳米结构沟道区域和第二纳米结构沟道区域以及内部栅极间隔件的侧壁设置的外延衬里、和被设置在外延衬里上的基于锗的外延区域。半导体器件还包括被设置在基于锗的外延区域和衬底之间的隔离结构。
专利权项：1.一种半导体器件，包括：衬底；第一纳米结构沟道区域和第二纳米结构沟道区域，被设置在所述衬底上；栅极结构，围绕所述第一纳米结构沟道区域和所述第二纳米结构沟道区域；内部栅极间隔件，沿着所述栅极结构的侧壁设置并且在所述第一纳米结构沟道区域和所述第二纳米结构沟道区域之间；源极漏极SD区域，包括：外延衬里，沿着所述第一纳米结构沟道区域和所述第二纳米结构沟道区域以及所述内部栅极间隔件的侧壁设置；以及基于锗的外延区域，被设置在所述外延衬里上；以及隔离结构，被设置在所述基于锗的外延区域和所述衬底之间。
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件中的外延结构
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