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申请/专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日：2024-01-12
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119325282A
专利技术分类：
专利摘要：一种半导体结构，包括具有第一导电型的第一阱、第二阱、第三阱、第一掺杂区、第二掺杂区与第四掺杂区、具有第二导电型的第四阱与第三掺杂区、第一接点、第二接点以及栅极结构。第二阱以及第三阱形成于第一阱中。第四阱形成于第一阱中且位于第二阱以及第三阱之间。第一掺杂区形成于第二阱中。第二掺杂区以及第三掺杂区形成于第四阱中。第四掺杂区形成于第三阱中。第一接点形成于第三阱之上。第二接点与第四掺杂区形成欧姆接触。栅极结构形成于第一掺杂区以及第二掺杂区之间。
专利权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一第一阱，具有一第一导电型；一第二阱，形成于上述第一阱中，具有上述第一导电型；一第三阱，形成于上述第一阱中，具有上述第一导电型；一第四阱，形成于上述第一阱中且位于上述第二阱以及上述第三阱之间，具有一第二导电型；一第一掺杂区，形成于上述第二阱中且具有上述第一导电型；一第二掺杂区，形成于上述第四阱中且具有上述第一导电型；一第三掺杂区，形成于上述第四阱中且具有上述第二导电型；一第四掺杂区，形成于上述第三阱中且具有上述第一导电型；一第一接点，形成于上述第三阱之上；一第二接点，与上述第四掺杂区形成一欧姆接触；以及一栅极结构，形成于上述第一掺杂区以及上述第二掺杂区之间。
百度查询： 新唐科技股份有限公司 半导体结构
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