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申请/专利权人：科磊股份有限公司
申请日：2023-09-29
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119325644A
专利技术分类：.专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置[2006.01]
专利摘要：本发明提供用于确定样品的信息的方法及系统。一种系统包含：输出获取子系统，其经配置以在样品上的一或多个目标位置处产生所述样品的输出；及一或多个温度传感器，其经配置以测量所述系统内的一或多个温度。所述系统还包含深度学习模型，所述深度学习模型经配置以基于由计算机子系统输入到所述深度学习模型的所述一或多个经测量温度中的至少一者而预测所述一或多个目标位置中的至少一者的误差。所述计算机子系统经配置以通过将所述预测误差应用于所述一或多个目标位置中的所述至少一者来确定所述一或多个目标位置中的所述至少一者的经校正目标位置。
专利权项：1.一种经配置以确定样品的信息的系统，其包括：输出获取子系统，其经配置以在样品上的一或多个目标位置处产生所述样品的输出；一或多个温度传感器，其经配置以测量所述系统内的一或多个温度；计算机子系统，其经配置以从所述一或多个温度传感器获取所述一或多个经测量温度；及一或多个组件，其由所述计算机子系统执行；其中所述一或多个组件包括深度学习模型，所述深度学习模型经配置以基于由所述计算机子系统输入到所述深度学习模型的所述一或多个经测量温度中的至少一者而预测所述一或多个目标位置中的至少一者的误差；且其中所述计算机子系统进一步经配置以通过将所述预测误差应用于所述一或多个目标位置中的所述至少一者而确定所述一或多个目标位置中的所述至少一者的经校正目标位置。
百度查询： 科磊股份有限公司 校正用于半导体应用中的温度的目标位置
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