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用于半导体应用的基于深度学习模型的对准专利

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申请/专利权人:科磊股份有限公司

申请日:2023-08-10

公开(公告)日:2025-01-17

公开(公告)号:CN119325559A

专利技术分类:..测试瑕疵、缺陷或污点的存在[2006.01]

专利摘要:提供用于半导体应用的深度学习对准的方法及系统。一种方法包含:通过将关于样品上的对准目标的设计信息输入到深度学习模型中来将所述设计信息变换为所述对准目标的经预测图像;及将所述经预测图像对准到由成像子系统产生的所述样品上的所述对准目标的图像。所述方法还包含:基于所述对准的结果来确定所述经预测图像与由所述成像子系统产生的所述图像之间的偏移;及将所述经确定偏移存储为在使用所述成像子系统对所述样品执行的过程中使用的对准到设计偏移。

专利权项:1.一种经配置以确定在对样品执行的过程中使用的偏移的系统,其包括:一或多个计算机子系统;及一或多个组件,其由所述一或多个计算机子系统执行,其中所述一或多个组件包括深度学习模型;且其中所述一或多个计算机子系统经配置用于:通过将关于样品上的对准目标的设计信息输入到所述深度学习模型中来将所述设计信息变换为所述对准目标的经预测图像;将所述经预测图像对准到由成像子系统产生的所述样品上的所述对准目标的图像;基于所述对准的结果来确定所述经预测图像与由所述成像子系统产生的所述图像之间的偏移;及将所述经确定偏移存储为在使用所述成像子系统对所述样品执行的过程中使用的对准到设计偏移。

百度查询: 科磊股份有限公司 用于半导体应用的基于深度学习模型的对准

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