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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日：2023-07-17
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119322392A
专利技术分类：....用蚀刻法[2006.01]
专利摘要：本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：SOI衬底，所述SOI衬底包括底硅层、绝缘层和顶硅层，所述SOI衬底包括脊型波导区域和条形波导区域；若干脊型波导，位于所述脊型波导区域的顶硅层中；若干条形波导，位于所述条形波导区域的顶硅层中，相邻条形波导之间包括第一沟槽，所述第一沟槽的宽度小于等于0.5微米或者大于等于1.5微米，条形波导两侧的绝缘层表面无顶硅层残留。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，调整脊型波导到条形波导的过渡工艺中的刻蚀工艺参数，可以避免条形波导两侧产生硅残留，降低传输损耗，提高传输效率，提高器件可靠性。
专利权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供SOI衬底，所述SOI衬底包括底硅层、绝缘层和顶硅层，所述SOI衬底包括脊型波导区域和条形波导区域；在所述顶硅层中形成若干第一沟槽，使所述脊型波导区域和条形波导区域中形成若干脊型波导，所述若干第一沟槽的宽度小于等于0.5微米或者大于等于1.5微米；在所述第一沟槽中及所述顶硅层表面依次形成硬掩膜层和抗反射层，所述第一沟槽上方的硬掩膜层表面平整；在所述抗反射层表面形成光阻层，所述光阻层中形成有完全覆盖所述条形波导区域中的第一沟槽的若干第一开口；沿所述第一开口刻蚀所述抗反射层、硬掩膜层和顶硅层至所述绝缘层表面，使所述条形波导区域中的脊型波导转化为条形波导，条形波导两侧的绝缘层表面无顶硅层残留。
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法
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