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申请/专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日：2023-07-17
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119325231A
专利技术分类：
专利摘要：本公开提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器以及电子设备。该半导体结构的制备方法包括如下步骤：在衬底上依次制备第一掺杂层、牺牲层和第二掺杂层；沿第一方向刻蚀第二掺杂层、牺牲层和第一掺杂层，以形成多道第一方向第一沟槽；刻蚀去除露出于第一方向第一沟槽中的部分牺牲层，在第一掺杂层和第二掺杂层之间制备第一沟道子层；沿第一方向刻蚀第二掺杂层、牺牲层和第一掺杂层，以形成多道第一方向第二沟槽，第一方向第二沟槽与第一方向第一沟槽交替间隔设置；刻蚀去除牺牲层，在第一掺杂层和第二掺杂层之间制备第二沟道子层，第二沟道子层接触于第一沟道子层。
专利权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在衬底上依次制备第一掺杂层、牺牲层和第二掺杂层；沿第一方向刻蚀所述第二掺杂层、所述牺牲层和所述第一掺杂层，以形成多道第一方向第一沟槽；刻蚀去除露出于所述第一方向第一沟槽中的部分所述牺牲层，在所述第一掺杂层和所述第二掺杂层之间制备第一沟道子层；沿所述第一方向刻蚀所述第二掺杂层、所述牺牲层和所述第一掺杂层，以形成多道第一方向第二沟槽，所述第一方向第二沟槽与所述第一方向第一沟槽交替间隔设置；刻蚀去除所述牺牲层，在所述第一掺杂层和所述第二掺杂层之间制备第二沟道子层，所述第二沟道子层接触于所述第一沟道子层。
百度查询： 北京超弦存储器研究院 半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器以及电子设备
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