龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：天津巴莫科技有限责任公司
申请日：2023-07-14
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119324221A
专利技术分类：.....插入或嵌入轻金属且含锰的混合氧化物或氢氧化物，例如LiMn2O4或LiMn2OxFy的[2010.01]
专利摘要：本发明涉及电池技术领域，具体涉及一种正极材料及其制备方法和应用。正极材料，包括核层以及包覆在核层表面的壳层；核层包括高镍多金属氧化物及掺杂元素Q，Q包括Al、B、Nb、La、Sr、Sb和Mo中的至少一种；壳层包括含镍多金属氧化物及掺杂元素M，元素M包括所述元素Q和掺杂元素D，掺杂元素D选自B、Sb、Nb、W、Zr、Ta和Mo中的至少一种；元素Q与元素D不同；元素Q在核层和壳层中呈均匀分布；掺杂元素D由壳层的表面至内部呈径向浓度递减分布，所述正极材料的内部呈径向放射状结构。本发明的正极材料具有低的003晶面的晶粒度和高的微观应变，可同时实现结构优化与核壳浓度差异维持，提升正极材料的电化学性能。
专利权项：1.一种正极材料，其特征在于，所述正极材料包括核层以及包覆在所述核层表面的壳层；所述核层的化学式包括LiNix1Coy1Mn1-x1-y1-z1Qz1O2，0.9x1≤1，0≤y10.05，0z10.025，x1+y1+z1≤1，元素Q包括Al、B、Nb、La、Sr、Sb和Mo中的至少一种；所述壳层的化学式包括LiNix2Coy2Mn1-x2-y2-z2Mz2O2，0.33x2≤0.9，0≤y20.33，0z20.025，x2+y2+z2≤1，其中，元素M包括所述元素Q和掺杂元素D，所述掺杂元素D选自B、Sb、Nb、W、Zr、Ta和Mo中的至少一种；所述元素Q在所述核层和所述壳层中呈均匀分布；所述掺杂元素D由所述壳层的表面至内部呈径向浓度递减分布；所述正极材料的内部呈径向放射状结构。
百度查询： 天津巴莫科技有限责任公司 一种正极材料及其制备方法和应用
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号