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申请/专利权人：杭州海康威视数字技术股份有限公司

申请日：2023-07-14

公开（公告）日：2025-01-17

公开（公告）号：CN119325291A

专利技术分类：

专利摘要：本发明公开一种雪崩光电二极管和探测器，雪崩光电二极管包括衬底，第一半导体区、第二半导体区、第三半导体区、第四半导体区、第五半导体区、第六半导体区以及第七半导体区，第三半导体区与第二半导体区形成第一击穿结；第五半导体区为第二掺杂类型的高浓埋层，第五半导体区与第四半导体区形成第二击穿结；第六半导体区设于第一表面，并与第一半导体区间隔设置，第七半导体区环设于第六半导体区的周侧，并与第六半导体区间隔设置，第七半导体区与第五半导体区电导通；第一半导体区与第六半导体区之间和或第六半导体区与第七半导体区之间设置有隔离区。本发明技术方案的雪崩光电二极管可减少边缘击穿并提高探测效率。

专利权项：1.一种雪崩光电二极管，其特征在于，包括：衬底，具有第一掺杂类型，所述衬底形成有第一表面；第一半导体区，具有第二掺杂类型，所述第一半导体区设于所述第一表面并向远离所述第一表面的方向延伸设置；第二半导体区，具有所述第二掺杂类型，所述第二半导体区的掺杂浓度小于所述第一半导体区的掺杂浓度，所述第二半导体区环设于所述第一半导体区的周缘并朝远离所述第一表面的方向延伸设置；第三半导体区，具有所述第一掺杂类型，所述第三半导体区设于所述第二半导体区背离所述第一表面的一侧，并向远离所述第一表面的方向延伸设置，所述第三半导体区与所述第二半导体区形成第一击穿结；第四半导体区，具有所述第一掺杂类型，所述第四半导体区环设于所述第二半导体区的周侧并延伸至远离所述第一表面的一侧；以及第五半导体区，为所述第二掺杂类型的高浓埋层，所述第五半导体区设于所述衬底远离所述第一表面的一侧，并与所述第四半导体区形成第二击穿结；第六半导体区，所述第六半导体区设于所述第一表面，并与第一半导体区间隔设置，所述第六半导体区的掺杂浓度大于所述第三半导体区的掺杂浓度；第七半导体区，与所述第一半导体区相同掺杂类型和掺杂浓度相同，所述第七半导体区环设于所述第六半导体区的周侧，并与所述第六半导体区间隔设置，所述第七半导体区与所述第五半导体区电导通；所述第一半导体区与所述第六半导体区之间和或所述第六半导体区与所述第七半导体区之间设置有隔离区。

百度查询： 杭州海康威视数字技术股份有限公司 雪崩光电二极管和探测器