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申请/专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日：2023-07-13
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119325246A
专利技术分类：
专利摘要：本公开涉及一种半导体结构及其制备方法、存储器及电子设备。半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底上形成沿第一方向依次层叠的第一半导体层、第二半导体层以及第三半导体层，第一半导体层覆盖衬底的顶面；第二半导体层包括第一元素及第二元素；其中，第二半导体层包括沿第一方向依次排布的第一界面层、中间层及与第三半导体层相邻的第二界面层，第一界面层中第二元素的含量沿远离衬底的顶面的方向逐渐减小，第二界面层中第二元素的含量沿远离中间层的顶面的方向逐渐增大；采用各向同性刻蚀工艺刻蚀第二半导体层，得到矩形凹槽。能够抑制侧向刻蚀工艺的圆弧效应，形成更为陡直的形貌，以提高刻蚀截面的方形度，从而提升器件性能及可靠性。
专利权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底；于所述衬底上形成多层叠层结构；所述叠层结构包括沿第一方向依次层叠的第一半导体层以及第二半导体层，所述第一半导体层覆盖所述衬底的顶面；所述第二半导体层为包括第一元素的半导体层；其中，所述第二半导体层包括沿所述第一方向依次排布的第一界面层以及中间层，所述第一界面层中所述第一元素的含量沿远离所述衬底的顶面的方向递减或递增；采用各向同性刻蚀工艺刻蚀所述第二半导体层，得到矩形凹槽。
百度查询： 北京超弦存储器研究院 半导体结构及其制备方法、存储器及电子设备
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