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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日：2023-07-12
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119324189A
专利技术分类：..阻抗装置[2006.01]
专利摘要：本申请提供一种半导体器件及其制备方法、存储器、存储系统，该半导体器件包括铁电层组，铁电层组包括沿第一方向交叠设置的至少一铁电层及至少一反铁电层，本申请通过使用交叠设置的铁电层和反铁电层，减小了铁电层组的矫顽电场，改善了半导体器件的抗疲劳性，从而提升了半导体器件的可靠性。
专利权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：铁电层组，包括沿第一方向交叠设置的至少一铁电层及至少一反铁电层。
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 半导体器件及其制备方法、存储器、存储系统
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