龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：苏州聚谦半导体有限公司
申请日：2023-07-12
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119325240A
专利技术分类：
专利摘要：本发明公开了一种自对准埋入式栅极金属IGBT及制造方法，包括设于衬底正面上的半导体层，设于半导体层中的体区和漂移区，设于体区中的源区；设于源区上方的半导体层表面上的一对第一侧墙；设于一对第一侧墙之间的半导体层中且穿过源区的沟槽栅；埋入在一对第一侧墙之间且连接沟槽栅的栅极金属；设于沟槽栅一侧的半导体层中的源区接触沟槽，填充于源区接触沟槽中并连接源区的源区接触金属；栅极金属和源区接触金属分别通过导电接触孔连接金属互连层；设于衬底背面表面以下的集电区层和缓冲区层，设于衬底背面表面上的集电极层。本发明能加快导通速度，增加开关频率，减少光罩和消除套刻误差，缩小器件面积，减小短路电阻，改善器件性能。
专利权项：1.一种自对准埋入式栅极金属IGBT，其特征在于，包括：设于衬底正面上的半导体层，所述半导体层中自表面向所述衬底方向依次设有体区和漂移区，所述体区中设有位于所述半导体层表面以下的源区；设于所述源区上方的所述半导体层表面上的一对第一侧墙；设于一对所述第一侧墙之间的所述半导体层中且穿过所述源区的沟槽栅；埋入在一对所述第一侧墙之间且连接所述沟槽栅的栅极金属；设于所述沟槽栅一侧的所述半导体层中的源区接触沟槽，和填充于所述源区接触沟槽中并连接所述源区的源区接触金属；所述栅极金属和所述源区接触金属分别通过导电接触孔连接金属互连层；还包括：依次设于所述衬底背面表面以下的集电区层和缓冲区层，以及设于所述衬底背面表面上的集电极层。
百度查询： 苏州聚谦半导体有限公司 自对准埋入式栅极金属IGBT及制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号