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申请/专利权人：香港科技大学
申请日：2023-06-01
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119325669A
专利技术分类：..在绝缘支架上由导电层构成的[2006.01]
专利摘要：提供了一种天线结构，所述天线结构包含第一辐射元件和第二辐射元件、第一接地平面和第二接地平面以及连接结构。所述第一接地平面被安置邻近于所述第一辐射元件并且耦合到所述第一辐射元件。所述第二接地平面被安置邻近于所述第二辐射元件并且耦合到所述第二辐射元件。所述连接结构将所述第一接地平面的边缘连接到所述第二接地平面的边缘，使得所述第一接地平面通过所述连接结构连接到所述第二接地平面。
专利权项：1.一种天线结构，其特征在于，包括：第一辐射元件；第一接地平面，所述第一接地平面被安置邻近于所述第一辐射元件并且耦合到所述第一辐射元件；第二辐射元件；第二接地平面，所述第二接地平面被安置邻近于所述第二辐射元件并且耦合到所述第二辐射元件，其中所述第一接地平面位于所述第二接地平面与所述第一辐射元件之间，并且所述第二接地平面位于所述第一接地平面与所述第二辐射元件之间；以及高介电常数连接结构，所述高介电常数连接结构将所述第一接地平面的边缘连接到所述第二接地平面的边缘，使得所述第一接地平面通过所述连接结构连接到所述第二接地平面。
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