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申请/专利权人:信越半导体株式会社
申请日:2023-05-08
公开(公告)日:2025-01-17
公开(公告)号:CN119325643A
专利技术分类:.在制造或处理过程中的测试或测量[2006.01]
专利摘要:本发明为接合型发光元件晶圆的制造方法,通过粘合剂将要成为微LED的发光元件结构与被接合基板加以接合,该方法包含以下步骤:通过粘合剂将发光元件结构与被接合基板加以接合,以获得接合晶圆;以光学方式检查接合晶圆的不良部位,制作去除用地图数据;以及,基于去除用地图数据,针对接合晶圆的所述不良部位,自被接合基板侧入射去除用激光,使粘合剂中的被包含于不良部位中的部分吸收去除用激光,使粘合剂中的被包含于不良部位中的部分升华,由此去除发光元件结构中的被包含于不良部位中的部位,以获得接合型发光元件晶圆。由此,能够提供一种接合型发光元件晶圆的制造方法,能够选择性去除发光元件结构的不良部位,以制造接合型发光元件晶圆。
专利权项:1.一种接合型发光元件晶圆的制造方法,通过吸收去除用激光的粘合剂,将要成为微LED的发光元件结构与相对于所述去除用激光为透明的被接合基板加以接合,其特征在于,包含以下步骤:通过所述粘合剂将所述发光元件结构与所述被接合基板加以接合,以获得接合晶圆;以光学方式检查所述接合晶圆的不良部位,制作去除用地图数据;以及基于所述去除用地图数据,针对所述接合晶圆的所述不良部位,自所述被接合基板侧入射所述去除用激光,使所述粘合剂中的被包含于所述不良部位中的部分吸收所述去除用激光,使所述粘合剂中的被包含于所述不良部位中的部分升华,由此去除所述发光元件结构中的被包含于所述不良部位中的部位,以获得所述接合型发光元件晶圆。
百度查询: 信越半导体株式会社 接合型发光元件晶圆的制造方法及微LED的移载方法
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