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申请/专利权人：株式会社村田制作所
申请日：2019-11-08
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN112997403B
专利技术分类：...用于应用声表面波的网络[2006.01]
专利摘要：提供能够抑制谐振频率附近的纹波的弹性波装置。弹性波装置1具备压电性基板2和设置在压电性基板2上的IDT电极7。压电性基板2具有高声速层和压电体层6。IDT电极7具有第一、第二汇流条14、15和相互交替插入的多个第一、第二电极指16、17。通过连结多个第一、第二电极指16、17各自的前端而形成的假想线即第一、第二包络线A1、A2分别相对于弹性波传播方向倾斜地延伸。在位于多个第一电极指16与第二汇流条15之间的多个第一间隙G1及位于多个第二电极指17与第一汇流条14之间的多个第二间隙G2中的至少一个设置有第一电介质膜9a、9b，第一电介质膜9a、9b的密度比氧化硅的密度高。
专利权项：1.一种弹性波装置，具备：压电性基板；以及IDT电极，其设置在所述压电性基板上，所述压电性基板具有高声速层和直接或间接设置在所述高声速层上的压电体层，在所述高声速层传播的体波的声速比在所述压电体层传播的弹性波的声速高，所述IDT电极具有相对置的第一汇流条及第二汇流条、一端与所述第一汇流条连接的多个第一电极指以及一端与所述第二汇流条连接且与所述多个第一电极指相互交替插入的多个第二电极指，通过连结所述多个第一电极指的前端而形成的假想线即第一包络线相对于弹性波传播方向倾斜地延伸，通过连结所述多个第二电极指的前端而形成的假想线即第二包络线相对于弹性波传播方向倾斜地延伸，在所述压电性基板上的位于所述多个第一电极指与所述第二汇流条之间的多个第一间隙以及位于所述多个第二电极指与所述第一汇流条之间的多个第二间隙中的至少一个设置有第一电介质膜，所述第一电介质膜的密度比氧化硅的密度高，所述第一电介质膜在所述弹性波传播方向上未遍及所述第二电极指连续地设置在多个所述第一间隙，并且在所述弹性波传播方向上未遍及所述第一电极指连续地设置在多个所述第二间隙。
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