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申请/专利权人：华中科技大学
申请日：2024-11-15
公开（公告）日：2025-01-21
公开（公告）号：CN119340785A
专利技术分类：..具有周期性结构的谐振腔，例如在分布反馈〔DFB〕激光器（包括光子带隙结构的入H01S5/11）（面发射激光器入H01S5/18）[2021.01]
专利摘要：本申请涉及激光器技术领域，公开一种高斜率效率表面光栅面发射激光器及其设计方法，激光器包括沿横截面自下而上的衬底、下波导层、有源层以及上波导层；上波导层的最上层中间区域形成脊形波导，脊形波导表面刻蚀有布拉格光栅；布拉格光栅包含位于中间的一段二阶光栅和位于两端的两段一阶光栅；二阶光栅中设置有λ4相移；λ4相移位于最邻近二阶光栅的一阶光栅的刻蚀区或非刻蚀区；当λ4相移位于最邻近二阶光栅的一阶光栅的刻蚀区时，二阶光栅向上衍射光功率最大，向下衍射光功率最小；当λ4相移位于最邻近二阶光栅的一阶光栅的非刻蚀区时，二阶光栅向上衍射光功率最小，向下衍射光功率最大。本申请可以实现高斜率效率激射。
专利权项：1.一种高斜率效率表面光栅面发射激光器，其特征在于，所述激光器包括沿横截面自下而上的衬底、下波导层、有源层以及上波导层；所述上波导层的最上层中间区域形成脊形波导，所述脊形波导表面刻蚀有布拉格光栅；所述布拉格光栅包含位于中间的一段二阶光栅和位于两端的两段一阶光栅；所述二阶光栅中设置有λ4相移；所述λ4相移位于最邻近二阶光栅的一阶光栅的刻蚀区或非刻蚀区；当所述λ4相移位于最邻近二阶光栅的一阶光栅的刻蚀区时，二阶光栅向上衍射光功率最大，向下衍射光功率最小；当所述λ4相移位于最邻近二阶光栅的一阶光栅的非刻蚀区时，二阶光栅向上衍射光功率最小，向下衍射光功率最大。
百度查询： 华中科技大学 一种高斜率效率表面光栅面发射激光器及其设计方法
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