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申请/专利权人：天通瑞宏科技有限公司
申请日：2024-12-20
公开（公告）日：2025-01-21
公开（公告）号：CN119340202A
专利技术分类：..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜[2006.01]
专利摘要：本申请公开了一种光刻胶剥离方法，涉及半导体技术领域。光刻胶剥离方法包括：对晶圆进行退火以使金属镀层合金化；将晶圆在第一有机溶剂中浸泡以使晶圆上的光刻胶软化；依次使用第二有机溶剂、第三有机溶剂对晶圆进行喷淋，其中，第二有机溶剂包含N‑甲基吡咯烷酮，第三有机溶剂的挥发性强于第二有机溶剂；对晶圆进行烘干。本申请提供的光刻胶剥离方法能够有效地对晶圆上的光刻胶进行去除，同时能够缓解NMP对金属镀层的腐蚀，因此产品的良率能够得到提升。
专利权项：1.一种光刻胶剥离方法，用于剥离晶圆上的光刻胶，所述晶圆上具有金属镀层和所述光刻胶，所述金属镀层的材料包括至少两种金属，所述至少两种金属中包括过渡金属，其特征在于，所述光刻胶剥离方法包括：对晶圆进行退火以使所述金属镀层合金化；将所述晶圆在第一有机溶剂中浸泡以使所述晶圆上的光刻胶软化；依次使用第二有机溶剂、第三有机溶剂对所述晶圆进行喷淋，其中，所述第二有机溶剂包含N-甲基吡咯烷酮，所述第三有机溶剂的挥发性强于所述第二有机溶剂；对所述晶圆进行烘干。
百度查询： 天通瑞宏科技有限公司 光刻胶剥离方法
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