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申请/专利权人：北京罗克维尔斯科技有限公司
申请日：2023-07-24
公开（公告）日：2025-01-24
公开（公告）号：CN119362365A
专利技术分类：.用于电子设备的（用于变换器入H02H7/10；用于电测量仪器的入G01R1/36；用于直流电压或电流的半导体调节器入G05F1/569；用于放大器的入H03F1/52；用于电子开关电路的入H03K17/08）[2006.01]
专利摘要：本公开提供了一种场效应晶体管的过温保护电路及方法、装置、电子设备，所述电路包括：温度监测单元、电阻调节单元及场效应晶体管；温度监测单元与电阻调节单元电连接，且与场效应晶体管贴合放置；电阻调节单元分别与所述温度监测单元及所述场效应晶体管电连接；所述温度监测单元用于监测所述场效应晶体管的温度，并控制所述电阻调节单元进行调节阻值；所述电阻调节单元用于调节与所述场效应晶体管电连接的电阻的阻值，以便控制所述场效应晶体管的通断。与相关技术相比，本公开实施例通过温度监测单元对场效应晶体管进行温度监测，能够控制场效应晶体管的管体温度控制在合理的区间内，防止因为管体过热导致的场效应晶体管失效影响电路的安全。
专利权项：1.一种场效应晶体管的过温保护电路，其特征在于，包括：温度监测单元、电阻调节单元及场效应晶体管；所述温度监测单元与所述电阻调节单元电连接，且与所述场效应晶体管贴合放置；所述电阻调节单元分别与所述温度监测单元及所述场效应晶体管电连接；所述温度监测单元用于监测所述场效应晶体管的温度，并控制所述电阻调节单元进行调节阻值，以便控制所述场效应晶体管的温度；所述电阻调节单元用于调节与所述场效应晶体管电连接的电阻的阻值，以便控制所述场效应晶体管的通断。
百度查询： 北京罗克维尔斯科技有限公司 场效应晶体管的过温保护电路及方法、装置、电子设备
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