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申请/专利权人:芯恩(青岛)集成电路有限公司
申请日:2024-09-12
公开(公告)日:2025-01-24
公开(公告)号:CN119361470A
专利技术分类:.专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置[2006.01]
专利摘要:本发明提供了一种非晶化率的检测方法和离子注入温度的监测方法。在非晶化率的检测方法中,通过对基片进行光学检测以得到对应的光信号,并可根据数据库中相匹配的关系组而得到相应的非晶化率,实现无损、高效且低成本的检测效果。以及,本发明提供的离子注入温度的监测方法中,利用不同的离子注入温度下会产生不同程度的非晶化的这一现象,从而可通过获取基片的非晶化率,以实现对离子注入设备的注入温度的监测过程,有效改善了当离子注入温度存在偏差而导致实际产生的非晶化程度偏离预期的问题,有利于提高制备形成的器件的性能,提高产品良率。
专利权项:1.一种非晶化率的检测方法,其特征在于,包括:建立数据库,所述数据库中收集有非晶化率和对应的光信号的关系组;提供具有非晶化层的待检测基片,并对所述待检测基片执行光学检测以获取光信号;以及,从所述数据库中选取出与来自所述待检测基片的光信号相匹配的关系组,并根据选取出的关系组得到对应的非晶化率。
百度查询: 芯恩(青岛)集成电路有限公司 非晶化率的检测方法和离子注入温度的监测方法
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