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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日：2024-12-27
公开（公告）日：2025-01-24
公开（公告）号：CN119364943A
专利技术分类：
专利摘要：本发明公开了一种Micro‑LED外延片及其制备方法、Micro‑LED，涉及半导体光电器件领域。其中，Micro‑LED外延片依次包括衬底、缓冲层、第一翘曲调控层、非掺杂GaN层、第二翘曲调控层、N型GaN层、第三翘曲调控层、多量子阱层和P型GaN层；所述第一翘曲调控层为三维GaN层，所述第二翘曲调控层包括交替层叠的第一Si掺GaN层和Si掺AlGaN层，所述第三翘曲调控层包括依次层叠于所述N型GaN层上的Si掺AlInGaN层和超晶格层，所述超晶格层包括交替层叠的第二Si掺GaN层和InGaN层。实施本发明，可提升Micro‑LED的发光效率和波长均匀性。
专利权项：1.一种Micro-LED外延片，其特征在于，包括衬底，依次层叠于所述衬底上的缓冲层、第一翘曲调控层、非掺杂GaN层、第二翘曲调控层、N型GaN层、第三翘曲调控层、多量子阱层和P型GaN层；所述第一翘曲调控层为三维GaN层，所述第二翘曲调控层包括交替层叠的第一Si掺GaN层和Si掺AlGaN层，所述第三翘曲调控层包括依次层叠于所述N型GaN层上的Si掺AlInGaN层和超晶格层，所述超晶格层包括交替层叠的第二Si掺GaN层和InGaN层。
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED
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