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申请/专利权人：长鑫科技集团股份有限公司
申请日：2023-07-12
公开（公告）日：2025-01-24
公开（公告）号：CN119364752A
专利技术分类：
专利摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，其中，半导体结构的制作方法包括：提供衬底，衬底具有多个沿第一方向间隔排布的第一沟槽，相邻的第一沟槽之间具有绝缘介质层；在衬底上形成覆盖第一沟槽表面的第一导电层和填充第一沟槽的第二导电层，第二导电层还形成在绝缘介质层上；对第二导电层进行图形化处理工艺，去除部分位于第一沟槽内的第二导电层，以形成第二沟槽，第二沟槽的顶表面高于绝缘介质层的顶表面，且第二沟槽暴露出部分绝缘介质层的侧壁及部分顶面；在第二沟槽中形成隔离结构。可以提高图形化处理工艺的对准精度。
专利权项：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有多个沿第一方向间隔排布的第一沟槽，相邻的所述第一沟槽之间具有绝缘介质层；在所述衬底上形成覆盖所述第一沟槽表面的第一导电层和填充所述第一沟槽的第二导电层，所述第二导电层还形成在所述绝缘介质层上；对所述第二导电层进行图形化处理工艺，去除部分位于所述第一沟槽内的所述第二导电层，以形成第二沟槽，所述第二沟槽的顶表面高于所述绝缘介质层的顶表面，且所述第二沟槽暴露出部分所述绝缘介质层的侧壁及部分顶面；在所述第二沟槽中形成隔离结构。
百度查询： 长鑫科技集团股份有限公司 一种半导体结构的制作方法及半导体结构
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