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申请/专利权人：长鑫科技集团股份有限公司
申请日：2023-07-20
公开（公告）日：2025-01-28
公开（公告）号：CN119383950A
专利技术分类：
专利摘要：本公开提供了一种半导体结构的形成方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：形成有源层；在有源层的一侧形成包括第一掩膜层、第二掩膜层以及第三掩膜层的掩膜材料层；第一掩膜层包括多个间隔分布的掩膜结构；第二掩膜层位于第一掩膜层远离所述有源层的一侧，且填满各掩膜结构之间的间隙；第三掩膜层位于第二掩膜层的表面；在第三掩膜层内形成多个第一掩膜孔和多个第二掩膜；以具有第一掩膜孔和第二掩膜孔的第三掩膜层为掩膜对第二掩膜层及第一掩膜层进行蚀刻，以在第一掩膜层内形成目标掩膜图案。本公开通过以此方法形成的器件有源区内的局部关键尺寸均匀性较好，进而提升了器件的性能。
专利权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成有源层；在所述有源层的一侧形成掩膜材料层，所述掩膜材料层包括依次设置的第一掩膜层、第二掩膜层以及第三掩膜层，所述第一掩膜层包括多个间隔分布的掩膜结构；所述第二掩膜层位于所述第一掩膜层远离所述有源层的一侧，且填满各所述掩膜结构之间的间隙；所述第三掩膜层位于所述第二掩膜层的表面；在所述第三掩膜层内形成多个第一掩膜孔和多个第二掩膜孔，所述第一掩膜孔在所述第一掩膜层上的正投影与所述第二掩膜孔在所述第一掩膜层上的正投影均位于所述掩膜结构上，且正投影位于同一所述掩膜结构上的各所述第一掩膜孔与各所述第二掩膜孔在所述掩膜结构的延伸方向上交替分布；以具有所述第一掩膜孔和所述第二掩膜孔的第三掩膜层为掩膜对所述第二掩膜层及所述第一掩膜层进行蚀刻，以在所述第一掩膜层内形成目标掩膜图案。
百度查询： 长鑫科技集团股份有限公司 半导体结构的形成方法
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