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申请/专利权人：上海功成半导体科技有限公司
申请日：2024-12-31
公开（公告）日：2025-02-07
公开（公告）号：CN119403160A
专利技术分类：
专利摘要：本申请公开了一种新型功率器件的制备方法及功率器件，涉及功率半导体器件技术领域，能够解决SGTMOSFET器件快关断下Vds的应力过大的问题，进而可以提高器件的稳定性。所述方法包括：在第一衬底的第一表面形成外延层；在所述外延层上形成多个多晶硅，所述多晶硅包括第一多晶硅和第二多晶硅，所述第一多晶硅和所述第二多晶硅交替排布；将每个所述第一多晶硅与第一电极连接，将每个所述第二多晶硅与第二电极连接，得到目标结构；将所述第一电极与器件结构的栅极连接，将所述第二电极与器件结构的源极连接。
专利权项：1.一种新型功率器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在第一衬底的第一表面形成外延层；在所述外延层上形成多个多晶硅，所述多晶硅包括第一多晶硅和第二多晶硅，所述第一多晶硅和所述第二多晶硅交替排布；将每个所述第一多晶硅与第一电极连接，将每个所述第二多晶硅与第二电极连接，得到目标结构；将所述第一电极与预先制备的器件结构的栅极连接，将所述第二电极与器件结构的源极连接。
百度查询： 上海功成半导体科技有限公司 一种新型功率器件的制备方法及功率器件
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