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申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日：2024-12-31
公开（公告）日：2025-02-07
公开（公告）号：CN119403252A
专利技术分类：
专利摘要：本公开涉及一种半导体器件及其制备方法。所述半导体器件的制备方法包括：提供衬底，于衬底一侧形成多个侧墙；相邻侧墙之间具有间隔，且至少两个间隔的尺寸不同；基于侧墙图案化衬底，于间隔的下方形成沟槽；去除侧墙；于沟槽内形成沟槽隔离结构；沟槽隔离结构用于定义像素区域；去除衬底位于像素区域的部分，形成多个像素容置槽；于像素容置槽内形成像素单元。本公开实施例可以根据需求制备出具有多个不同尺寸像素单元的半导体器件，有利于半导体器件在CMOS背照式图像传感器上面的运用，使得背照式图像传感器满足不同的市场需求。
专利权项：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，于所述衬底一侧形成多个侧墙；相邻所述侧墙之间具有间隔，且至少两个所述间隔的尺寸不同；基于所述侧墙图案化所述衬底，于所述间隔的下方形成沟槽；去除所述侧墙；于所述沟槽内形成沟槽隔离结构；所述沟槽隔离结构用于定义像素区域；去除所述衬底位于所述像素区域的部分，形成多个像素容置槽；于所述像素容置槽内形成像素单元。
百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 半导体器件及其制备方法
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