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申请/专利权人：QORVO美国公司
申请日：2020-03-06
公开（公告）日：2025-02-14
公开（公告）号：CN119450895A
专利技术分类：.零部件[2006.01]
专利摘要：本发明涉及层压结构的基准点。公开了层压结构以及电子器件层压结构的基准点构型。在层压结构中成型的基准点具有更好的可见性和对比度，从而提高电子行业中常用自动化机器光学探测设备探测基准点的能力。通过层压结构中沿其深度延伸的开孔界定所公开的基准点，从而提供足够的对比度。基准点的开孔穿过层压结构的多个金属层和介电层。基准点成型可采用激光钻孔或其他消减处理技术。本文所公开的基准点可涂覆附加层或镀层，例如包括一层电子器件电磁屏蔽层的金属镀层，基准点具有足够的可见性和对比度，使附加层或镀层保持可探测。
专利权项：1.一种器件，包括层压结构，其包括多个金属层，所述多个金属层以与多个介电层的交替配置布置；由层压结构中的开孔界定的基准点，其中所述开孔延伸穿过所述多个金属层中的第一金属层和第二金属层；以及在层压结构上的金属覆层，其中所述金属覆层不同于所述第一金属层和第二金属层，并且所述金属覆层被布置在所述层压结构的在所述开孔外的至少一个水平表面上，在所述层压结构的覆盖所述开孔的底部的至少一个水平表面上，以及在所述开孔的至少一个侧壁上。
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