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申请/专利权人：QORVO美国公司
申请日：2020-03-06
公开（公告）日：2021-12-14
公开（公告）号：CN113796166A
专利技术分类：.零部件[2006.01]
专利摘要：本发明公开了层压结构以及电子器件层压结构的基准点构型。在层压结构中成型的基准点具有更好的可见性和对比度，从而提高电子行业中常用自动化机器光学探测设备探测基准点的能力。通过层压结构中沿其深度延伸的开孔界定所公开的基准点，从而提供足够的对比度。基准点的开孔穿过层压结构的多个金属层和介电层。基准点成型可采用激光钻孔或其他消减处理技术。本文所公开的基准点可涂覆附加层或镀层，例如包括一层电子器件电磁屏蔽层的金属镀层，基准点具有足够的可见性和对比度，使附加层或镀层保持可探测。
专利权项：1.一种器件，包括一个层压结构，包括一个第一金属层、一个第二金属层和一个第一介电层，所述第一介电层分布在所述第一金属层和第二金属层之间；以及一个在层压结构上成型的基准点，通过一个穿过所述第一金属层、第一介电层和第二金属层的开孔界定所述基准点。
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